• 트랜지스터 개선 T247 Osg60r099ht3f VDS-650V ID-90A RDS(켜짐)-99mΩ QG-35.7nc PC 전원 LED 조명 N-채널 전력 MOSFET용
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트랜지스터 개선 T247 Osg60r099ht3f VDS-650V ID-90A RDS(켜짐)-99mΩ QG-35.7nc PC 전원 LED 조명 N-채널 전력 MOSFET용

인증: RoHS 준수, ISO
모양: 금속 도자기 튜브
차폐 유형: 샤프 차단 차폐 튜브
냉각 방식: 공기 냉각 튜브
기능: 스위치 트랜지스터
작동 주파수: 고주파

공급 업체에 문의

골드 멤버 이후 2022

비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체

제조사/공장, 무역 회사

기본 정보

모델 번호.
TO247 OSG60R099HT3F
구조
평면
캡슐화 구조
칩 트랜지스터
전원 수준
중간 전원
자료
규소
운송 패키지
Carton
사양
35x30x37cm
등록상표
Orientalsemi
원산지
중국
세관코드
8541290000
생산 능력
Over 1kk/Month

제품 설명

일반 설명

GreenMOS ® 고전압 MOSFET는 전하 균형 기술을 활용하여 뛰어난 저저항 및 낮은 게이트 전하를 달성합니다. 이 시리즈는 전도 손실을 최소화하고 탁월한 스위칭 성능과 강력한 눈사태 기능을 제공하도록 설계되었습니다.
GreenMOS ® 일반 시리즈는 스위칭 성능을 극대화하여 스위칭 손실을 최소화합니다. 이 표준은 고전력 밀도 응용 분야에 맞게 조정되어 최고 효율 표준을 충족합니다.
 

피처

  • 낮은 RDS(ON)  FOM
  • 극도로 낮은 스위칭  손실
  • 뛰어난 안정성과  균일성
 

응용 프로그램

  • PC  전원
  • LED 조명
  • 통신  파워
  • 서버  전원
  • EV 충전기
  • 태양 에너지/UPS
 

주요 성능 매개변수

 
파라미터 가치 단위
VDS, Tj에서 최소(최대) 650 V
ID, 펄스 90 A
RDS(켜짐), 최대 @ VGS = 10V 99
QG 35.7 NC

표시 정보
 
제품 이름 패키지 표시
OSG60R099HT3F TO247 OSG60R099HT3

주문 정보

 
패키지 유형 단위/튜브 튜브/내부 상자 단위/안쪽 상자 내부 상자/상자 유닛/상자
TO247-J 30 20 600 4 2400
TO247-S 30 15 450 4 1800


제품 정보
 
제품 패키지 PB 무료 RoHS 할로겐 불포함
OSG60R099HT3F TO247


공급망

To247 Osg60r099ht3f Vds-650V ID-90A RDS (ON) -99milliohm Qg-35.7nc PC Power LED Lighting Power Mosfet



친환경 제품 선언

To247 Osg60r099ht3f Vds-650V ID-90A RDS (ON) -99milliohm Qg-35.7nc PC Power LED Lighting Power Mosfet
 







 

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등록 자본
10000000 RMB
식물 면적
501~1000 평방 미터