• RoHS EV 고속 충전 스테이션 보조 플라이백 컨버터 1 스위치 옵션 Osg90r1K2af To251 고전압 전력 MOSFET
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RoHS EV 고속 충전 스테이션 보조 플라이백 컨버터 1 스위치 옵션 Osg90r1K2af To251 고전압 전력 MOSFET

애플리케이션: 텔레비전
배치 번호: 2010년 이후
자격증: RoHS
제조 기술: 광전자 반도체
자료: 반도체 요소
모델: PC817

공급 업체에 문의

골드 멤버 이후 2022

비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체

제조사/공장, 무역 회사

기본 정보

모델 번호.
OSG90R1K2AF TO251
패키지
SMD
신호 처리
디지털
유형
N-Type 반도체
설명
극도로 낮은 스위칭 손실
특징
뛰어난 안정성과 균일성
응용 프로그램
PC 전원
산업
LED 조명
브랜드
구심적
운송 패키지
Air
등록상표
Orientalsemiconductor
원산지
중국
세관코드
854129000
생산 능력
20kkkk/Monthly

제품 설명

일반 설명
GreenMOS ® 고전압 MOSFET는 전하 균형 기술을 활용하여 뛰어난 저저항 및 낮은 게이트 전하를 달성합니다. 이 시리즈는 전도 손실을 최소화하고 탁월한 스위칭 성능과 강력한 눈사태 기능을 제공하도록 설계되었습니다.
GreenMOS ® Z 시리즈는 FRD(Fast Recovery Diode)와 통합되어 있어 역방향 복구 시간을 최소화합니다. 보다 높은 효율성, 높은 신뢰성 및 소형 폼 팩터에 도달하기 위해 공명 스위칭 토폴로지에 적합합니다.

피처
  • 낮은 RDS(ON) FOM
  • 극도로 낮은 스위칭 손실
  • 뛰어난 안정성과 균일성
  • 초고속 견고한 본체 다이오드

응용 프로그램                                                                                             
  • PC 전원
  • 통신 파워
  • 서버 전원
  • EV 충전기
  • 모터 드라이버


주요 성능 매개변수
 
파라미터 가치 단위
VDS, Tj에서 최소(최대) 650 V
ID, 펄스 240 A
RDS(켜짐), 최대 @ VGS = 10V 30
QG 178 NC

표시 정보
 
제품 이름 패키지 표시
OSG60R030HZF TO247 OSG60R030HZ
별도로 명시되지 않는 한 Tj = 25°C에서 절대 최대 정격
 
파라미터 기호 가치 단위
배수 - 소스 전압 VDS 600 V
게이트 소스 전압 VG ±30 V
연속 배출 커런트1), TC = 25°C
ID
80
A
연속 배출 커런트1), TC = 100°C 50
펄스 드레인 current2), TC = 25°C ID, 펄스 240 A
연속 다이오드 순방향 current1), TC = 25°C 있습니다 80 A
다이오드 펄스 current2), TC = 25°C 맥박 240 A
전원 dissipation3), TC = 25°C PD 480 W
단일 펄스 눈사태 5) EAS 2500 MJ
MOSFET dv/dt 견고성, VDS = 0… 480V dV/dt 50 V/ns
역다이오드 dv/dt, VDS = 0… 480V, ISD ≤ ID dV/dt 50 V/ns
작동 및 보관 온도 Tstg,Tj -55 ~ 150 °C

특성
 
파라미터 기호 가치 단위
저항, 접합 케이스 Rd. JC 0.26 °C/W
저항, 교차점-주변4) Rj의 JA 62 °C/W

별도로 명시하지 않는 한 Tj = 25°C의 전기적 특성
파라미터 기호 최소 보통 최대 단위 테스트 조건
배수 - 소스 고장 전압 BVDSS 600     V VG = 0V, ID = 1mA
게이트 임계값 전압 VG(TH) 3.0   4.5 V VDS = VGS, ID = 2mA,

배수 - 소스
상태 저항

RDS(켜짐)
  0.028 0.030
Ω
VG = 10V, ID = 40A
  0.058   VG = 10V, ID = 40A, Tj = 150°C
게이트 소스 누설 전류
IGSS
    100
NA
VG = 30V
    -100 VG = -30V
배출 - 소스 누출 전류 IDSs     10 μA VDS = 600V, VGS = 0V
게이트 저항 RG   2.1   Ω EXM = 1MHz, 개방형 배출구


동적 특성
파라미터 기호 최소 보통 최대 단위 테스트 조건
입력 정전 용량 CISS   9343   PF
VG = 0V, VDS = 50V, 영업 = 100KHz
출력 정전 용량 고스   708   PF
역전달 정전 용량 CRSS   15   PF
효과적인 출력 정전 용량, 에너지 관련 CO(er)   345   PF
VG = 0V, VDS = 0V - 400V
유효 출력 정전 용량, 시간 관련 CO(TR)   1913   PF
대기 시간 켜기 TD(켜짐)   52.1   NS
VG = 10V, VDS = 400V, RG = 2Ω, ID = 40A
상승 시간 TR   105.2   NS
대기 시간을 끕니다 TD(꺼짐)   125.7   NS
가을 시간 TF   4.1   NS

게이트 충전 특성
파라미터 기호 최소 보통 최대 단위 테스트 조건
총 게이트 요금 QG   177.9   NC

VG = 10V, VDS = 400V, ID = 40A
게이트 소스 충전 QGS   37.4   NC
게이트 - 배출 충전 Qgd   78.4   NC
게이트 플래토 전압 Vplateau   6.2   V

차체 다이오드 특성
파라미터 기호 최소 보통 최대 단위 테스트 조건
다이오드 전진 전압 VSD     1.4 V = 80 A, VGS = 0 V
복구 시간을 반대로 전환합니다 trr.(추세   186.6   NS
= 40A,
di/dt = 100A/μs
역구난 충전 문제   1.6   μC
최고 역방향 복구 전류 어rm   15.4   A

참고
  1. 최대 허용 정션 온도를 기준으로 계산된 연속 전류
  2. 반복 등급; 펄스 폭은 최대 접합 온도에 의해 제한됩니다.
  3. PD는 정션 박스 열 저항을 사용하여 최대 정션 온도를 기반으로 합니다.
  4. VDD = 100V, VGS = 10V, L = 80MH, Tj = 25°C에서 시작

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등록 자본
10000000 RMB
식물 면적
501~1000 평방 미터