• 모터 드라이버 전환 모드 전원 공급 장치 VDS-80V ID-840A RDS(켜짐) -2.6mΩ QG-148.1nc Enhancemenn - 채널 MOSFET To263 Sfg280n08kf 트랜지스터
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모터 드라이버 전환 모드 전원 공급 장치 VDS-80V ID-840A RDS(켜짐) -2.6mΩ QG-148.1nc Enhancemenn - 채널 MOSFET To263 Sfg280n08kf 트랜지스터

인증: RoHS 준수, ISO
모양:
차폐 유형: 원격 튜브를 차폐 오프 컷
냉각 방식: 공기 냉각 튜브
기능: 스위치 트랜지스터
작동 주파수: 고주파

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비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체

제조사/공장, 무역 회사

기본 정보

모델 번호.
TO263 SFG280N08K
구조
평면
캡슐화 구조
칩 트랜지스터
전원 수준
높은 전원
자료
게르마늄
운송 패키지
Air
등록상표
Orientalsemi
세관코드
8541290000
생산 능력
Over 1kk/Month

제품 설명

일반  설명
SFGMOS ®  MOSFET                    는 낮은 RDS(ON), 낮은 게이트 충전, 빠른 스위칭 및 뛰어난 눈사태 특성을 구현하기 위해 Oriental Semiconductor의 고유한 장치 설계를 기반으로 합니다.  High  Vth  시리즈는        게이트  구동  전압이   10V를 초과하는 하이 시스템에 특별히 최적화되어 있습니다.
 

피처
       낮은 RDS(ON)  FOM
        극도로 낮은 스위칭  손실
      뛰어난  안정성과   균일성
      빠른  전환   소프트  복구


응용 프로그램
      스위치  모드  전원  공급 장치
      모터  드라이버
      배터리  보호
      DC-DC  컨버터
      솔라  인버터
      UPS   에너지  인버터


주요  성능  매개변수
 
파라미터 가치 단위
VDS,  Tj에서 최소(최대) 80 V
ID,  펄스 840 A
RDS(켜짐),  최대 @ VGS  = 10V 2.6
QG 148.1 NC


        별도로 명시되지 않는 한 Tj = 25°C에서 절대 최대 정격
 
파라미터 기호 가치 단위
 소스  전압을 배출합니다 VDS 80 V
게이트  소스  전압 VG ±20 V
연속  배출  커런트1), TC = 25°C ID 280 A
펄스  드레인  current2), TC = 25°C ID,  펄스 840 A
연속  다이오드  순방향  current1), TC = 25°C 있습니다 280 A
다이오드  펄스  current2), TC = 25°C 맥박 840 A
전원  dissipation3), TC = 25°C PD 375 W
단일  펄스  눈사태  5) EAS 1000 MJ
작동   보관  온도 Tstg ,Tj -55 ~ 150 °C


  특성
파라미터 기호 가치 단위
  저항, 접합 케이스 Rd. JC 0.33 °C/W
  저항, 교차점-주변4) Rj의 JA 62 °C/W


       별도로 명시하지 않는 한 Tj = 25°C의 전기적 특성
 
파라미터 기호 최소 보통 최대 단위 테스트  조건
배수 - 소스         고장  전압 BVDSS 80     V VG  = 0V , ID  = 250PA
게이트  임계값
전압
VG(TH) 2.0   4.0 V VDS  = VGS, ID = 250PA
배수 - 소스
상태  저항
RDS(켜짐)   2.4 2.6 MQ VG  = 10V, ID = 20A
게이트 소스
누설  전류

IGSS
    100
NA
VG  = 20V
     100 VG  = -20V
배수 - 소스
누설  전류
IDSs     1 PA VDS  = 80V, VGS  = 0V


참고
         최대 허용  접합  온도에 따라 계산된 연속 전류
   반복  등급; 펄스  폭은    최대 접합  온도에 의해 제한됩니다.
   PD        는 정션 박스 열 저항을 사용하여 최대 정션 온도를 기반으로 합니다.
       4) RmAJA의 값은          2oz 의 2 FR-4 보드에 장착된 장치를 사용하여 측정합니다 .        Ta = 25°C의 대기 환경에서 구리를 사용합니다
    5) VDD = 50V, VGS = 10V, L = 0.3MH, Tj =   25°C에서 시작


주문  정보
패키지
입력합니다
/ 단위
 /   안쪽  상자 단위/   안쪽  상자 내부  상자/ 상자   유닛/     상자  
TO263-C 800 1 800 5 4000



제품  정보
제품 패키지 PB  무료 RoHS 할로겐  불포함
SFG280N08KF TO263

Motor Driver Switched Mode Power Supply Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc Enhancemenn-Channel Mosfet To263 Sfg280n08kf TransistorMotor Driver Switched Mode Power Supply Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc Enhancemenn-Channel Mosfet To263 Sfg280n08kf TransistorMotor Driver Switched Mode Power Supply Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc Enhancemenn-Channel Mosfet To263 Sfg280n08kf TransistorMotor Driver Switched Mode Power Supply Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc Enhancemenn-Channel Mosfet To263 Sfg280n08kf Transistor
Motor Driver Switched Mode Power Supply Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc Enhancemenn-Channel Mosfet To263 Sfg280n08kf TransistorMotor Driver Switched Mode Power Supply Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc Enhancemenn-Channel Mosfet To263 Sfg280n08kf Transistor
Motor Driver Switched Mode Power Supply Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc Enhancemenn-Channel Mosfet To263 Sfg280n08kf Transistor
공급망 Motor Driver Switched Mode Power Supply Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc Enhancemenn-Channel Mosfet To263 Sfg280n08kf Transistor

 

 

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등록 자본
10000000 RMB
식물 면적
501~1000 평방 미터