Server Power LLC 토폴로지 초고속 견고한 차체 다이오드 VDS, Min@Tj(최대) 650V RDS(켜짐), Max@Vgs = 10V 30MΩ Osg60r030hzf To247 전력 MOSFET

• 제조 기술: 광전자 반도체
• 자료: 요소 반도체
• 유형: N 형 반도체
• 꾸러미: SMD
• 신호 처리: 디지털
• 신청: 텔레비전
• 모델 번호.: OSG60R030HZF TO247
• 모델: PC817
• 배치 번호: 2010+
• 상표: Orimental
• 설명: 극도로 낮은 스위칭 손실
• 특징: 뛰어난 안정성과 균일성
• 응용 프로그램: PC 전원
• 산업: LED 조명
• 운송 패키지: Air
• 등록상표: Orientalsemiconductor
• 원산지: China
• 세관코드: 854129000
• 생산 능력: 20kkkk/Monthly

제품 설명

일반 설명
GreenMOS ® 고전압 MOSFET는 전하 균형 기술을 활용하여 뛰어난 저저항 및 낮은 게이트 전하를 달성합니다. 이 시리즈는 전도 손실을 최소화하고 탁월한 스위칭 성능과 강력한 눈사태 기능을 제공하도록 설계되었습니다.
GreenMOS ® Z 시리즈는 FRD(Fast Recovery Diode)와 통합되어 있어 역방향 복구 시간을 최소화합니다. 보다 높은 효율성, 높은 신뢰성 및 소형 폼 팩터에 도달하기 위해 공명 스위칭 토폴로지에 적합합니다.

피처

• 낮은 RDS(ON) 및 FOM
• 극도로 낮은 스위칭 손실
• 뛰어난 안정성과 균일성
• 초고속 견고한 본체 다이오드

응용 프로그램                                                                                             

• PC 전원
• 통신 파워
• 서버 전원
• EV 충전기
• 모터 드라이버

주요 성능 매개변수
 

파라미터	가치	단위
VDS, Tj에서 최소(최대)	650	V
ID, 펄스	240	A
RDS(켜짐), 최대 @ VGS = 10V	30	mΩ
QG	178	NC

표시 정보
 

제품 이름	패키지	표시
OSG60R030HZF	TO247	OSG60R030HZ

별도로 명시되지 않는 한 Tj = 25°C에서 절대 최대 정격
 

파라미터	기호	가치	단위
배수 - 소스 전압	VDS	600	V
게이트 소스 전압	VG	±30	V
연속 배출 커런트1^), TC = 25°C	ID	80	A
연속 배출 커런트1^), TC = 100°C		50
펄스 드레인 current2^), TC = 25°C	ID, 펄스	240	A
연속 다이오드 순방향 current1^), TC = 25°C	있습니다	80	A
다이오드 펄스 current2^), TC = 25°C	맥박	240	A
전원 dissipation3^), TC = 25°C	PD	480	W
단일 펄스 눈사태 5)	EAS	2500	MJ
MOSFET dv/dt 견고성, VDS = 0… 480V	dV/dt	50	V/ns
역다이오드 dv/dt, VDS = 0… 480V, ISD ≤ ID	dV/dt	50	V/ns
작동 및 보관 온도	Tstg,Tj	-55 ~ 150	°C

열 특성
 

파라미터	기호	가치	단위
열 저항, 접합 케이스	Rd. JC	0.26	°C/W
열 저항, 교차점-주변4)	Rj의 JA	62	°C/W

별도로 명시하지 않는 한 Tj = 25°C의 전기적 특성

파라미터	기호	최소	보통	최대	단위	테스트 조건
배수 - 소스 고장 전압	BVDSS	600			V	VG = 0V, ID = 1mA
게이트 임계값 전압	VG(TH)	3.0		4.5	V	VDS = VGS, ID = 2mA,
배수 - 소스 상태 저항	RDS(켜짐)		0.028	0.030	Ω	VG = 10V, ID = 40A
			0.058			VG = 10V, ID = 40A, Tj = 150°C
게이트 소스 누설 전류	IGSS			100	NA	VG = 30V
				-100		VG = -30V
배출 - 소스 누출 전류	IDSs			10	μA	VDS = 600V, VGS = 0V
게이트 저항	RG		2.1		Ω	EXM = 1MHz, 개방형 배출구

동적 특성

파라미터	기호	최소	보통	최대	단위	테스트 조건
입력 정전 용량	CISS		9343		PF	VG = 0V, VDS = 50V, 영업 = 100KHz
출력 정전 용량	고스		708		PF
역전달 정전 용량	CRSS		15		PF
효과적인 출력 정전 용량, 에너지 관련	CO(er)		345		PF	VG = 0V, VDS = 0V - 400V
유효 출력 정전 용량, 시간 관련	CO(TR)		1913		PF
대기 시간 켜기	TD(켜짐)		52.1		NS	VG = 10V, VDS = 400V, RG = 2Ω, ID = 40A
상승 시간	TR		105.2		NS
대기 시간을 끕니다	TD(꺼짐)		125.7		NS
가을 시간	TF		4.1		NS

게이트 충전 특성

파라미터	기호	최소	보통	최대	단위	테스트 조건
총 게이트 요금	QG		177.9		NC	VG = 10V, VDS = 400V, ID = 40A
게이트 소스 충전	QGS		37.4		NC
게이트 - 배출 충전	Qgd		78.4		NC
게이트 플래토 전압	Vplateau		6.2		V

차체 다이오드 특성

파라미터	기호	최소	보통	최대	단위	테스트 조건
다이오드 전진 전압	VSD			1.4	V	= 80 A, VGS = 0 V
복구 시간을 반대로 전환합니다	trr.(추세		186.6		NS	= 40A, di/dt = 100A/μs
역구난 충전	문제		1.6		μC
최고 역방향 복구 전류	어rm		15.4		A

참고

1. 최대 허용 정션 온도를 기준으로 계산된 연속 전류
2. 반복 등급; 펄스 폭은 최대 접합 온도에 의해 제한됩니다.
3. PD는 정션 박스 열 저항을 사용하여 최대 정션 온도를 기반으로 합니다.
4. VDD = 100V, VGS = 10V, L = 80MH, Tj = 25°C에서 시작