트랜지스터 개선 모드 N-채널 전력 MOSFET To247 Osg65r080ht3zf VDS-700V ID-132A RDS(켜짐) - LED 조명 어댑터용 80mΩ QG-67nc

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• 모델 번호.: TO247 OSG65R080HT3ZF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• 등록상표: Orientalsemi
• 원산지: China
• 세관코드: 8541290000
• 생산 능력: Over 1kk/Month

제품 설명

일반  설명
 GreenMOS ®  고전압   MOSFET            는 전하 균형 기술을 활용하여 뛰어난 저저항 및 낮은 게이트 전하를 달성합니다.       이 시리즈는 전도  손실을 최소화하고  탁월한 스위칭  성능과   강력한  눈사태  기능을 제공하도록 설계되었습니다.
 GreenMOS ® Z  시리즈는     FRD(Fast  Recovery  Diode )와 통합되어   있어 역방향  복구 시간을 최소화합니다.     보다      높은  효율성, 높은  신뢰성  및 소형  폼 팩터에 도달하기 위해 공명 스위칭 토폴로지에 적합합니다 .

피처
       낮은 RDS(ON) 및  FOM
        극도로 낮은 스위칭  손실
      뛰어난  안정성과   균일성

응용 프로그램
      LED  조명
      어댑터
      통신
      태양 에너지/UPS
      서버

주요  성능  매개변수

파라미터	가치	단위
VDS,  Tj에서 최소(최대)	700	V
ID,  펄스	132	A
RDS(켜짐),  최대 @ VGS  = 10V	80	mΩ
QG	67	NC

        별도로 명시되지 않는 한 Tj = 25°C에서 절대 최대 정격

파라미터	기호	가치	단위
배수 - 소스  전압	VDS	650	V
게이트 소스  전압	VG	±30	V
연속  배출  커런트1), TC = 25°C	ID	44	A
연속  배출  커런트1), TC = 100°C		27.8
펄스  드레인  current2), TC = 25°C	ID,  펄스	132	A
연속  다이오드  순방향  current1), TC = 25°C	있습니다	44	A
다이오드  펄스  current2), TC = 25°C	맥박	132	A
전원  dissipation3), TC = 25°C	PD	379	W
단일  펄스  눈사태  5)	EAS	600	MJ
MOSFET  dv/dt  견고성, VDS  = 0… 480V	dV/dt	50	V/ns
역다이오드   dv/dt, VDS  = 0… 480V, ISD ≤ ID	dV/dt	50	V/ns
작동  및  보관  온도	Tstg ,Tj	-55 ~ 150	°C

주문  정보

패키지 입력합니다	/ 단위 튜브	튜브/  내부  상자	단위/   안쪽  상자	내부  상자/ 상자	유닛/     상자
TO247-J	30	20	600	4	2400

제품  정보
 

제품	패키지	PB  무료	RoHS	할로겐  불포함
OSG65R080HT3ZF	TO247	네	네	네

공급망

친환경 제품 선언