Wgp634 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 250V 8.1A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp9n50 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 500V 9A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
60h12mnsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 600V 0.03A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx9n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 900V 9A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp13n50 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 500V 13A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp16n50 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 컴포넌트 TO220 부품 500V16A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
3404nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소타 23 부품 30V 5.8A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp50r240 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 500V 18A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx20n50 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 컴포넌트 TO220 부품 500V 20A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 전원 단자,스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx4n65 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 650V 4A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgd65r950 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 구성 요소 To251 부품 650V5a
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
2312nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 20V 5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx15n65 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 650V 15A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx5n50 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 번호 - 251 파트 500V 4.5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
2310nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 60V 3A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx20n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 컴포넌트 간 - 3p 부품 600V 20A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
전자관 Tb4/1250/5868를 위한 세계에 있는 단지 1개의 제조자만
- 인증: CE,ISO
- 캡슐화 구조: 유리 밀폐 트랜지스터
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 중간 전원
- 기능: 전원 단자
-
Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- 주: Liaoning, China
Eimac 3cx1500A7 힘 삼극관 관과 동등한 진공 전자관 Fu508f
- 인증: CE,CCC
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 중간 전원
- 기능: 전원 단자
- 꾸러미: Strong Cartons
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- 주: Beijing, China
2sc2290 Hg2290 트랜지스터
- 인증: RoHS 준수,ISO
- 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 전원 단자
-
Binhu Boer Electronic Components Sales Center
- 주: Jiangsu, China
트랜지스터 NPN: Mmbt5551
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO,CCC
- 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
- 설치: SMD Triode 중
- 작동 주파수: 저주파
- 전원 수준: 소형 전원
- 기능: 스위칭 단자
-
Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
- 주: Guangdong, China
Sot 23 양극 트랜지스터---2SA1036
- 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
-
Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
- 주: Guangdong, China
진공 전자 합금, 진공 전자 합금 재료
- 인증: ISO,CCC
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 구조: 합금
- 꾸러미: Pallet, Wooden Box
- 명세서: NSi0.9, NMg0.1, NMn3, NMn5
-
Gansu Aofei Trading Co., Ltd
- 주: Gansu, China
Motorrad, Motorräder, Motorrad, Motorrad, Motorrad, Motorrad
-
Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd
- 주: Shanghai, China
브리지 정류기 Gbu 다이오드 1A 1000V dB 패키지 브리지 다이오드 LED용
- 인증: CE
- 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 오버 클러킹
- 전원 수준: 소형 전원
- 수율: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- 주: Anhui, China
ISC 실리콘 NPN 파워 트랜지스터(BU508A)
- 꾸러미: to-3pn
- 명세서: OEM
- 등록상표: iscsemi/isc
- 원산지: Isc
- 세관코드: 85912900
- 수율: 100000
-
Inchange Semiconductor Company Limited
- 주: Jiangsu, China
트랜지스터 Bc817, 215 Bc817-16/25/40 Bc817K-16R/16hr//25r/25hr/40r/40hr
- 인증: RoHS 준수
- 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
- 설치: SMD Triode 중
- 작동 주파수: 저주파
- 전원 수준: 소형 전원
- 기능: 전원 단자
-
Shenzhen Ruilongge Technology Co., Ltd
- 주: Guangdong, China
힘 Mosfet 트랜지스터 Irfp4332
- 인증: RoHS 준수
- 기능: 전원 단자
- 명세서: TO-247
- 등록상표: IR
-
E-Solution Technology Co., Limited
- 주: Guangdong, China
진동자 기업 고주파 난방 응용 Fu-5s를 위한 전자관 고성능 Glass-Metal 삼극관
- 인증: ISO
- 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 전원 단자
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- 주: Beijing, China
