대한 2493 제품 발견

Wgp9n25 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 250V 8.1A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp60r190 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 To251 부품 600V 20A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp60r450 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성품 TO220 부품 600V 10A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx20n50 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 컴포넌트 대 - 3p 부품 500V 0A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 전원 단자,스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

2321psa 고품질 저전압 Pchannel MOSFET 트랜지스터 원래 구성 요소 Sot23 부품 - 20V - 2.9A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx7n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성품 TO220 부품 600V 7A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

2306ansa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소타 23 부품 30V 3.16A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx8n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성품 TO220 부품 800V 8A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx1n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 컴포넌트 T92 부품 600V 0.4A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp6n40 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 400V 5.5A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

02n60SA 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 파트 60V 2A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

고품질 고전압 N 채널 Gx730 5.5A 400V ~ -220 MOSFET 트랜지스터 원래 구성 요소

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx6n65 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx3n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 To251 부품 800V 3A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wga60r070d 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 600V47A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp730 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 400V 5.5A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

2307psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 - 30V-2.7A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp65r700 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 컴포넌트 To251 파트 650V 7A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx20n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 To220f 부품 600V 20A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx18n65 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 650V 18A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx5n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 900V 5A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

60h12mnsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 600V 0.03A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx5n50 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 번호 - 220 부품 500V 4.5A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx10n65 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 650V 9.5A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp13n50 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 500V 13A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgd65r950 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 구성 요소 To251 부품 650V5a

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp60r280 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 구성 요소 To251 부품 600V15A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

2319psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소트23 부품 - 40V-4.4A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

7n02SA 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 20V 7A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

960-1215MHz 100W RF 파워 Ldmos 트랜지스터

  • 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
  • 작동 주파수: 저주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 꾸러미: Box Pacakge
  • 수율: 100
  • Quanzhou Yingtron Microwave Electronics Co., Ltd.
  • 주: Fujian, China
표시: 10 30 50