대한 2536 제품 발견

Chna IC에서 만드는

  • 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
  • 꾸러미: Original
  • 명세서: ce
  • 등록상표: FMD
  • 원산지: China
  • 수율: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • 주: Guangdong, China

Dmg2305ux-7 SOT-23-3 전자 구성 요소 통합 회로 원래 스톡 반도체 다이오드

  • 인증: RoHS 준수
  • 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
  • 설치: SMD Triode 중
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 감광성의
  • Guangzhou ertai Trading Co., LTD
  • 주: Guangdong, China

138nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 50V 0.22A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

연속되는 Clock Input 64k (8 비트 넓은)

  • 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
  • 꾸러미: Original
  • 명세서: ce
  • 등록상표: FMD
  • 원산지: China
  • 수율: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • 주: Guangdong, China

2302nsa-S 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 20V 2A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

IC

  • 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
  • 꾸러미: Original
  • 명세서: ce
  • 등록상표: FMD
  • 원산지: China
  • 수율: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • 주: Guangdong, China

7002크사 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 60V 0.3A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

연속되는 Clock Input 32k (8 비트 넓은)

  • 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
  • 꾸러미: Original
  • 명세서: ce
  • 등록상표: FMD
  • 원산지: China
  • 수율: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • 주: Guangdong, China

Gx24n50 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 컴포넌트 대 - 3p 부품 500V 24A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 전원 단자,스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

싼 가격 IC

  • 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
  • 꾸러미: Original
  • 명세서: ce
  • 등록상표: FMD
  • 원산지: China
  • 수율: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • 주: Guangdong, China

Gx740 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 구성 요소 - 220 부품 400V 11.4A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp640 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 200V 18A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx18n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 600V 18A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx11n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 900V 10A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

2305psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소트23 부품 - 12V - 4.1A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

3407psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 - 30V-4.1A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx12n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성부품 TO220: 600V 12A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

0615esa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 70V 0.1A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

10h02nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 100V 2A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp65r300 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 650V 15A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx460 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 컴포넌트 간 - 3p 부품 500V 20A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 전원 단자,스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

2309psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 - 60V-2A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp65r500 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 650V 10A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

3420nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 20V 6A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp630 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 200V 9A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wga60r070 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 To3p 부품 600V 47A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp65r500 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 650V10A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx5n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 900V 5A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx20n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 To220f 부품 600V 20A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx12n65 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 650V 12A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China
표시: 10 30 50