대한 2197 제품 발견

고품질 고전압 N 채널 Gx730 5.5A 400V ~ -220 MOSFET 트랜지스터 원래 구성 요소

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx10n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 600V 9.5A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx2n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 900V 2.2A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

3400nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소타 23 부품 30V 5.8A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

3415psa-4K 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 - 20V - 4.9A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wga50r045 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 500V 50A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx7n65 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp830 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 500V 4.5A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp840 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 500V 9A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgd60r650 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 컴포넌트 To251 Parts 600V 7A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx13n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To3p 부품 800V 13A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp60r450 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성품 TO220 부품 600V 10A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

02n60SA 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 파트 60V 2A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgd60r450 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 To251 부품 600V 10A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

3415psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소트23 부품 - 20V-4A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp630 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 200V 9A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx1n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 To126 부품 600V 0.4A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx8n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성품 TO220 부품 800V 8A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp60r190 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 To251 부품 600V 20A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx12n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성부품 TO220: 600V 12A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx15n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 600V 15A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

2302 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 20V 3.3A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

전기 플라스틱 파이프 용접 기계

  • 꾸러미: Standard Export Packing
  • 명세서: CE, ROHS, UL, REACH 5501
  • 등록상표: APA
  • 원산지: China
  • 수율: 50000 Meters/Week
  • Guangzhou Jieyin Electric Appliances Co., Ltd.
  • 주: Guangdong, China

RF 힘 트랜지스터 Ptfa092213EL V4 Ptfa092213EL

  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • 주: Guangdong, China

100kw Hf 유도 가열 삼극관 관 Fd 911SD, 100kw Indcution 난방/용접 기계를 위한, 유리관을%s Fd 911s

  • 인증: CCC
  • 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
  • 설치: 플러그인 Triode 중
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 전원 단자
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • 주: Beijing, China

IGBT 트랜지스터

  • Winsoon Industry Limited
  • 주: Guangdong, China

Mosfet Cj3401 P-Channel 증진 최빈값 전계효과 트랜지스터

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO,CCC
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 설치: SMD Triode 중
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 중간 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
  • 주: Guangdong, China

Mosfet 600V 3.5A (IRFIBC40GLC)

  • Ag Electronic Group Co.; Ltd
  • 주: Guangdong, China

전자관 Fd 912s 고성능 세라믹 금속 삼극관

  • 인증: ISO
  • 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
  • 설치: 플러그인 Triode 중
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 전원 단자
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • 주: Beijing, China

본래 Vishay 힘 Mosfet N-Channel

  • Shenzhen Faisemi Electronic Co.,Ltd
  • 주: Hubei, China
표시: 10 30 50