대한 2199 제품 발견

Gx20n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 컴포넌트 간 - 3p 부품 600V 20A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

3400nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소타 23 부품 30V 5.8A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx10n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 800V 10A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgd65r950 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 구성 요소 To251 부품 650V5a

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp50r290 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 500V 13A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx10n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 600V 9.5A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

3420nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 20V 6A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

2306고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소타 23 부품 30V 3.16A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp11n40 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 400V 11.4A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

2302nsa-B 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 20V 3.3A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp65r500 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 650V10A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx12n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성부품 TO220: 600V 12A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

3407psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 - 30V-4.1A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx1n65 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 - 126 부품 650V 0.5A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx9n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To3p 부품 900V 8A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wga65r080 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 To251 부품 650V 47A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp60r450 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성품 TO220 부품 600V 10A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

3401psa-L 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 - 30V-4.1A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx1n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 800V 1A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx20n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 To220f 부품 600V 20A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

3402nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 30V 4A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wga60r070d 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 600V47A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Gx9n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 900V 9A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

Wgp6n40 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 400V 5.5A

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • 구조: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • 주: Jiangsu, China

고주파 Feating Fu3092ca를 위한 전자관 고성능 삼극관

  • 인증: ISO
  • 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
  • 설치: 플러그인 Triode 중
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 높은 전원
  • 기능: 전원 단자
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • 주: Beijing, China

Hf 절연성 난방, 유도 가열을%s 7t69rb와 동등한 9kw 진공 전자관 Fu7069f

  • 인증: CCC
  • 설치: 플러그인 Triode 중
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 중간 전원
  • 기능: 전원 단자
  • 꾸러미: Strong Cartons
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • 주: Beijing, China

힘 트랜지스터 Ra30h1317m Ra30h1317

  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • 주: Guangdong, China

Mosfet Cj3401 P-Channel 증진 최빈값 전계효과 트랜지스터

  • 인증: RoHS 준수,CE,ISO,CCC
  • 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
  • 설치: SMD Triode 중
  • 작동 주파수: 고주파
  • 전원 수준: 중간 전원
  • 기능: 스위칭 단자
  • Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
  • 주: Guangdong, China

Bc108 트랜지스터

  • Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd
  • 주: Shanghai, China

Mmb3904 트랜지스터 NPN 40V 200mA Sot23-3 Mmbt390

  • 설치: SMD Triode 중
  • 구조: PNP
  • 꾸러미: Standard
  • 명세서: Standard
  • 등록상표: /
  • 원산지: Original
  • Chip-Easy(Shenzhen) Technology Co., Ltd.
  • 주: Guangdong, China
표시: 10 30 50