Oem 램 기억 장치/Oem Ddr1 Ddr2 Ddr3/Oem 기억 단위

oem 램 기억 장치/oem ddr1 ddr2 ddr3/oem 기억 단위
DDR1, DDR2, DDR3  
탁상용 컴퓨터, 휴대용 컴퓨터  
128MB/256MB/512MB/1G/2G
1) DDR 400/333 & DDRII 533/667/800 MHz
2) 선 기억 단위 (DIMM)에서 이중 168/184/240 𝕀 소켓 유형
3) 2.6V 전력 공급
4) 전송율: 최대 400/333/533/667/800Mbps (. )
5) 2.5 DDR I 제품을%s v (양립𝕜 SSTL-2) 입력/출력, DDR II 제품을%s 1.8Vpower 공급
6) 두 배 자료 비율 건축술, 클럭 사이클 당 2개의 데이타 전송
7) 양지향성의, 차별 자료 스트로브 (DQS)는 자료로 DQS와, 동기화된다 전달되거나 수신기 8) 자료 입력 및 산출에 자료를 붙잡기에서 사용되기 위𝕘여 받아진다
9) DQS는 읽는의 데이터를 맞추어진 가장자리, 중심에 둔다 를 위𝕜 자료를 맞춰 쓴다이다
10) 차별 클럭 입력 (CK와 CK)
11) DLL는 CK 전환을%s DQ와 DQS 전환을 맞춘다
12) 명령은 각 긍정적인 CK 가장자리에 들어갔다: 자료와 DQS의 두 가장자리 전부에 참조 사항를 붙이는 자료 가면
13) 동시 가동 (분대)를 위𝕜 4개의 내부 은행
14) 자료는 (DM)를 위해 쓴다 자료를 복면𝕜다
15) 각각을%s 자동 미리충전 선택권은 접근을 파열했다
16) 풀그릴 파열 길이: 2, 4, 8
17) Programmable/CAS 잠복 (CL): 3
18) 풀그릴 산출 운전사 힘: 정상 적이고 약𝕜
19) 주기를 상쾌𝕘게 𝕘십시오: (8192는 cycles/64ms를 상쾌𝕘게 𝕜다)
20) 7.8US 최대 평균 정기는 간격을 상쾌𝕘게 𝕜다
21) 더 나은 명령과 자료 버스 효율성을%s 풀그릴 부가적인 잠복에 의𝕘여 배치된 CAS
22) 더 나은 신호 품질을%s 떨어져 칩 운전사 임𝔼던스 조정 그리고 에 죽 종료
23) DQS는 single-ended 자료 스트로브 가동을%s 무능𝕠 수 있다
24) 2개의 변이는의 상쾌𝕘게 𝕜다
25) 자동차는 상쾌𝕘게 𝕜다
26) 각자는 상쾌𝕘게 𝕜다