유형: | 홀 유형 |
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출력 신호의 유형: | 아날로그 출력 |
생산 공정: | 반도체 집적 |
자료: | Mixture |
정확도 등급: | 0.5G |
신청: | 스위칭 전원 공급 장치 |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
전기 데이터: (Ta = 25ºC, VC = +5.0VDC, RL = 2KΩ) | |||||||
미터 참조 |
CHK100 EKB5S2 |
CHK200 EKB5S2 |
CHK400 EKB5S2 |
CHK800 EKB5S2 |
CHK1000 EKB5S2 |
CHK1500EKB5S2 | CHK2000 EKB5S2 |
정격 입력 IPN(A) | 100 | 200 | 400 | 800 | 1000 | 1500 | 2000 |
측정 범위 IP(A) | 0 ~ ±100 | 0 ~ ±200 | 0 ~ ± 400 | 0 ~ ±800 | 0 ~ ±1000 | 0 ~ ±1500 | 0 ~ ±2000 |
출력 전압 Vo(V) | 2.500 ± 2.0 * (IP/IPN) | ||||||
출력 전압 Vo(V) | @IP = 0, T = 25°C 2.500 | ||||||
부하 저항 RL(Kilohm) | 2.0 이상 | ||||||
공급 전압 VC(V) | 5.0 ± 5% | ||||||
정확도 XG(%) | IPN에서 T = 25°C < ±1.0 | ||||||
오프셋 전압 VOE(mV) | @IP = 0, T = 25°C < ±25 | ||||||
VOE VOT의 온도 변화(mV/°C) | @ip = 0, -40 ~ + 85°C < ±1.0 |
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히스테리시스 오프셋 전압 VOH(mV) | @ip = 0, 1 * IPN < ±20 이후 | ||||||
선형 오류 εr(%FS) | 1.0 미만 | ||||||
di/dt(a/µs) | 100개 이상 | ||||||
응답 시간 트라(µs) | IPN의 90% < 5.0 | ||||||
전력 소비 IC(mA) | 15 | ||||||
대역폭 BW(kHz) | @ -3dB, IPN DC-20 | ||||||
절연 전압 VD(kV) | 50/60Hz, 1분, AC 3.0에서 |
일반 데이터: | |
파라미터 | 가치 |
작동 온도 TA(°C) | -40 ~ +85 |
보관 온도 TS(°C ) | 55~ 125세 |
질량 M(g ) | 120 |
플라스틱 재질 | PBT G30/G15, UL94-V0; |
표준 | IEC60950-1:2001 |
EN50178:1998 | |
SJ20790-2000 |
치수(mm): | ||
Chk_EKB5S2M | Chk_EKB5S2S | 연결 |
일반 공차 | ||
일반 공차: < ±0.5mm 주 관통 홀: D40.5 ± 0.3 보조 연결: Chk_EKB5S2M: 2510-04A(Molex 5045-04A 대신) Chk_EKB5S2S:15EDGK3.81-04P |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체